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BSM100GB170DLCHOSA1

BSM100GB170DLCHOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSM100GB170DLCHOSA1
PNEDA Teilenummer BSM100GB170DLCHOSA1
Beschreibung IGBT 2 MED POWER 62MM-1
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.892
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BSM100GB170DLCHOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSM100GB170DLCHOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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BSM100GB170DLCHOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Leistung - max960W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)200µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce7nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

2000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

15nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-20°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

MG400V2YS60A

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

4300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

45nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-20°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF300DA120D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

420A

Leistung - max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

6MS10017E41W36460BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-25°C ~ 55°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS10R06VE3BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Leistung - max

50W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

550pF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Module

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