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6MS10017E41W36460BOSA1

6MS10017E41W36460BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer 6MS10017E41W36460BOSA1
PNEDA Teilenummer 6MS10017E41W36460BOSA1
Beschreibung IGBT MODULE 690V 600A
Hersteller Infineon Technologies
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6MS10017E41W36460BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer6MS10017E41W36460BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
6MS10017E41W36460BOSA1, 6MS10017E41W36460BOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 1.159,39 KB)
PDF6MS10017E41W36460BOSA1 Datenblatt Cover
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6MS10017E41W36460BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-25°C ~ 55°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

900A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.55nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

BSM30GP60BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

180W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300nA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GT50TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Leistung - max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.03nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

VIO75-12P1

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

92A

Leistung - max

379W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3.7mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ECO-PAC2

Lieferantengerätepaket

ECO-PAC2

CM400DU-24NFH

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1040W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6.5V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

63nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

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