BSM30GP60BOSA1
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| Teilenummer | BSM30GP60BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSM30GP60BOSA1 |
| Beschreibung | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.860 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 27 - Mai 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSM30GP60BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM30GP60BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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BSM30GP60BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Full Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Leistung - max | 180W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 30A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 300nA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 1.6nF @ 25V |
| Eingabe | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 135A Leistung - max 350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket SP3F |
