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BSL308PEH6327XTSA1

BSL308PEH6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSL308PEH6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BSL308PEH6327XTSA1
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
Hersteller Infineon Technologies
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSL308PEH6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSL308PEH6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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BSL308PEH6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 15V
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
LieferantengerätepaketPG-TSOP-6-6

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

PG-DSO-8

HAT2210RWS-E

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A (Ta), 8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 10V, 1330pF @ 10V

Leistung - max

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

QH8KA4TCR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TSMT8

AON6812

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1720pF @ 15V

Leistung - max

4.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (5.2x5.55)

SI4559ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A, 3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 15V

Leistung - max

3.1W, 3.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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