BSH201,215
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| Teilenummer | BSH201,215 |
| PNEDA Teilenummer | BSH201-215 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 377.202 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSH201 Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSH201,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BSH201 Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 300mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 160mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 48V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 417mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 100W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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