DMJ70H1D3SJ3

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Teilenummer | DMJ70H1D3SJ3 |
PNEDA Teilenummer | DMJ70H1D3SJ3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH TO251 |
Hersteller | Diodes Incorporated |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.966 |
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DMJ70H1D3SJ3 Ressourcen
Marke | Diodes Incorporated |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | DMJ70H1D3SJ3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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DMJ70H1D3SJ3 Technische Daten
Hersteller | Diodes Incorporated |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 351pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 41W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-251 |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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