DMJ70H1D3SJ3
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| Teilenummer | DMJ70H1D3SJ3 |
| PNEDA Teilenummer | DMJ70H1D3SJ3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH TO251 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.966 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMJ70H1D3SJ3 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMJ70H1D3SJ3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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DMJ70H1D3SJ3 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 351pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 41W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-251 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSIX-H FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TA) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-UDFNB (2x2) Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad |
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