BSC0910NDIATMA1
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| Teilenummer | BSC0910NDIATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSC0910NDIATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.956 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSC0910NDIATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSC0910NDIATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSC0910NDIATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A, 31A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 12V |
| Leistung - max | 1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TISON-8 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC, 26.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 50V Leistung - max 3W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-HSOP |
