BSC0910NDIATMA1
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Teilenummer | BSC0910NDIATMA1 |
PNEDA Teilenummer | BSC0910NDIATMA1 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 |
Hersteller | Infineon Technologies |
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BSC0910NDIATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BSC0910NDIATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSC0910NDIATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A, 31A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 12V |
Leistung - max | 1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Lieferantengerätepaket | PG-TISON-8 |
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