BSC021N08NS5ATMA1
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| Teilenummer | BSC021N08NS5ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSC021N08NS5ATMA1 |
| Beschreibung | TRENCH 40<-<100V |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.716 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 10 - Jan 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSC021N08NS5ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSC021N08NS5ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSC021N08NS5ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™, StrongIRFET™ |
| FET-Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSON-8-3 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller IXYS Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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