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BLP8G27-10Z

BLP8G27-10Z

Nur als Referenz

Teilenummer BLP8G27-10Z
PNEDA Teilenummer BLP8G27-10Z
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 16.098
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BLP8G27-10Z Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLP8G27-10Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLP8G27-10Z, BLP8G27-10Z Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.189,25 KB)
PDFBLP8G27-10Z Datenblatt Cover
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BLP8G27-10Z Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz2.14GHz
Gewinn17dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest110mA
Leistung - Leistung2W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall16-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket16-HVSON (6x4)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.96GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

44dBm

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-36248-2

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

16.6dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT1275-3

Lieferantengerätepaket

SOT1275-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

2.7GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

70mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

TO-270AA

Lieferantengerätepaket

OM-270-2

NPT2019

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

0Hz ~ 6GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

3.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

160V

Paket / Fall

14-TDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

14-DFN (3x6)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.12GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

610mA

Leistung - Leistung

14W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

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