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BLF8G27LS-100J

BLF8G27LS-100J

Nur als Referenz

Teilenummer BLF8G27LS-100J
PNEDA Teilenummer BLF8G27LS-100J
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 6.984
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BLF8G27LS-100J Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF8G27LS-100J
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF8G27LS-100J, BLF8G27LS-100J Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 881,55 KB)
PDFBLF8G27LS-100U Datenblatt Cover
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BLF8G27LS-100J Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.5GHz ~ 2.7GHz
Gewinn17dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest900mA
Leistung - Leistung25W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.8MHz ~ 500MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

OM-1230-4L

Lieferantengerätepaket

OM-1230-4L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

15.2dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

280W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OM-780-2

Lieferantengerätepaket

OM-780-2

PTVA127002EV-V1-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

700W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

H-36275-4

Lieferantengerätepaket

H-36275-4

PTFA191001F V4 R250

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.96GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

44dBm

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37248-2

CGHV40100P

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

0 ~ 4GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

8.7A

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

116W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440206

Lieferantengerätepaket

440206

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