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MHT1004NR3

MHT1004NR3

Nur als Referenz

Teilenummer MHT1004NR3
PNEDA Teilenummer MHT1004NR3
Beschreibung RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450
Hersteller NXP
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MHT1004NR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMHT1004NR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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MHT1004NR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.45GHz
Gewinn15.2dB
Spannungstest32V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung280W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallOM-780-2
LieferantengerätepaketOM-780-2

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Hersteller

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Serie

-

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Frequenz

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Gewinn

14.8dB

Spannungstest

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1A

Rauschzahl

1.4dB

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

30dBm

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7V

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

31.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

75mA

Leistung - Leistung

1.6W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1212-2

Lieferantengerätepaket

16-HSOP

BF245A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

100mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.805GHz ~ 1.995GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

172W

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

SOT-1271-2

Lieferantengerätepaket

SOT1271-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

728MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

63W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

OM-780-2

Lieferantengerätepaket

OM-780-2

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