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BLF8G22LS-200GVJ

BLF8G22LS-200GVJ

Nur als Referenz

Teilenummer BLF8G22LS-200GVJ
PNEDA Teilenummer BLF8G22LS-200GVJ
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
Hersteller Ampleon
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLF8G22LS-200GVJ Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF8G22LS-200GVJ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
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BLF8G22LS-200GVJ Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn19dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest2A
Leistung - Leistung55W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1244C
LieferantengerätepaketCDFM6

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Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

15.5dB

Spannungstest

8V

Nennstrom (Ampere)

450mA

Rauschzahl

4.5dB

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

9V

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

17.9dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

90W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

512MHz

Gewinn

25.4dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

TO-270AA

Lieferantengerätepaket

TO-270-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

18.2dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1300W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

SOT-979A

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4H

CGHV27015S

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

6GHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

60mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

12-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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