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MMRF1317HR5

MMRF1317HR5

Nur als Referenz

Teilenummer MMRF1317HR5
PNEDA Teilenummer MMRF1317HR5
Beschreibung TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.290
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMRF1317HR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMRF1317HR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MMRF1317HR5, MMRF1317HR5 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 846,27 KB)
PDFMMRF1317HSR5 Datenblatt Cover
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MMRF1317HR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.03GHz
Gewinn18.2dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung1300W
Spannung - Nennspannung105V
Paket / FallSOT-979A
LieferantengerätepaketNI-1230-4H

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

957.5MHz

Gewinn

35dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

30mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1211-3

Lieferantengerätepaket

16-HSOPF

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

PD55015TR-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

500MHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

450MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

TO-270-4

Lieferantengerätepaket

TO-270 WB-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

18.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

48W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230S

Lieferantengerätepaket

NI-1230S

Kürzlich verkauft

CDRH127NP-100MC

CDRH127NP-100MC

Sumida

FIXED IND 10UH 5.4A 21.6 MOHM

744043101

744043101

Wurth Electronics

FIXED IND 100UH 510MA 600 MOHM

PCMB063T-3R3MS

PCMB063T-3R3MS

Susumu

FIXED IND 3.3UH 6A 30 MOHM SMD

LQH2MCN100K02L

LQH2MCN100K02L

Murata

FIXED IND 10UH 225MA 1.2 OHM SMD

7447709220

7447709220

Wurth Electronics

FIXED IND 22UH 5.3A 28 MOHM SMD

BNX022-01L

BNX022-01L

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FILTER LC 1UF SMD

ABM3B-25.000MHZ-B2-T

ABM3B-25.000MHZ-B2-T

Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

T530D337M006ATE010

T530D337M006ATE010

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 6.3V 2917

B32921C3104M000

B32921C3104M000

TDK-EPCOS

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CK45-R3DD102KAVRA

CK45-R3DD102KAVRA

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TAJC337M006RNJ

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HX5120NL

HX5120NL

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