BLF7G22LS-250P,112
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF7G22LS-250P,112 |
| PNEDA Teilenummer | BLF7G22LS-250P-112 |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.660 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BLF7G22LS-250P Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF7G22LS-250P,112 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
BLF7G22LS-250P, BLF7G22LS-250P Datenblatt
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BLF7G22LS-250P Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS (Dual), Common Source |
| Frequenz | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Gewinn | 18.5dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | 65A |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.9A |
| Leistung - Leistung | 70W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT539B |
| Lieferantengerätepaket | SOT539B |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.6GHz ~ 1.66GHz Gewinn 19.7dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 1.5A Leistung - Leistung 32W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT-957A Lieferantengerätepaket NI-780H-2L |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp N-Channel Frequenz 30MHz Gewinn 22dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) 50A Rauschzahl - Stromtest 250mA Leistung - Leistung 400W Spannung - Nennspannung 170V Paket / Fall M177 Lieferantengerätepaket M177 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2.17GHz Gewinn 17.5dB Spannungstest 30V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 1.3A Leistung - Leistung 40W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall H-33288-6 Lieferantengerätepaket H-33288-6 |
