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BLF7G22LS-200,112

BLF7G22LS-200,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF7G22LS-200,112
PNEDA Teilenummer BLF7G22LS-200-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
Hersteller Ampleon
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BLF7G22LS-200 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF7G22LS-200,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF7G22LS-200, BLF7G22LS-200 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.125,01 KB)
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BLF7G22LS-200 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn18.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.62A
Leistung - Leistung55W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.85A

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-34288-2

GTVA107001EC-V1-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

960MHz ~ 1.215GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

890W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

H-36248-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.9GHz

Gewinn

13.3dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

320W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-979A

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4H

PD57006S

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1A

Rauschzahl

-

Stromtest

70mA

Leistung - Leistung

6W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

10-PowerSO

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

400MHz

Gewinn

32dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

0.9dB

Stromtest

19mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

6V

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-666

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