BLF7G22L-250P,112
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF7G22L-250P,112 |
| PNEDA Teilenummer | BLF7G22L-250P-112 |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.174 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BLF7G22L-250P Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF7G22L-250P,112 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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BLF7G22L-250P Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS (Dual), Common Source |
| Frequenz | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Gewinn | 18.5dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | 65A |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.9A |
| Leistung - Leistung | 70W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT539A |
| Lieferantengerätepaket | SOT539A |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2.17GHz Gewinn 18.3dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 700mA Leistung - Leistung 24W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall NI-780S Lieferantengerätepaket NI-780S |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp - Frequenz - Gewinn - Spannungstest - Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest - Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 3.1GHz ~ 3.5GHz Gewinn 12dB Spannungstest 32V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 150mA Leistung - Leistung 120W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall NI-780S Lieferantengerätepaket NI-780S |
