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BLF6H10L-160,112

BLF6H10L-160,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6H10L-160,112
PNEDA Teilenummer BLF6H10L-160-112
Beschreibung RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 2.754
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BLF6H10L-160 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6H10L-160,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6H10L-160, BLF6H10L-160 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.024,51 KB)
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BLF6H10L-160 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz952.5MHz ~ 957.5MHz
Gewinn20dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest600mA
Leistung - Leistung38W
Spannung - Nennspannung104V
Paket / FallSOT467C
LieferantengerätepaketSOT467C

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-

Transistortyp

LDMOS

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Gewinn

14dB

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4A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

30W

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

10dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

240mA

Rauschzahl

2dB

Stromtest

240mA

Leistung - Leistung

300mW

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

15.2dB

Spannungstest

7.5V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

7.3W

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

PLD-1.5W

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5W

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

920MHz

Gewinn

19.5dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

860mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

OM780-4

Lieferantengerätepaket

OM780-4

BF1005SE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

800MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

1.6dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143-4

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