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BLF6G22LS-100,118

BLF6G22LS-100,118

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G22LS-100,118
PNEDA Teilenummer BLF6G22LS-100-118
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18.2DB SOT502B
Hersteller Ampleon
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BLF6G22LS-100 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G22LS-100,118
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G22LS-100, BLF6G22LS-100 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 899,64 KB)
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BLF6G22LS-100 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn18.2dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)29A
Rauschzahl-
Stromtest950mA
Leistung - Leistung25W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

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Spannungstest

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-

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Leistung - Leistung

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Frequenz

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Gewinn

30dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

0.9dB

Stromtest

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Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

17.3dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

21.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

58W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.7GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.5A

Leistung - Leistung

23W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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