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MRFE6VP6300HR5

MRFE6VP6300HR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRFE6VP6300HR5
PNEDA Teilenummer MRFE6VP6300HR5
Beschreibung FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 16.308
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRFE6VP6300HR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFE6VP6300HR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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MRFE6VP6300HR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz230MHz
Gewinn26.5dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung300W
Spannung - Nennspannung130V
Paket / FallNI780-4
LieferantengerätepaketNI-780-4

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

860MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

18W

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115V

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

512MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

940MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

39W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

125W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz

Gewinn

18.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

72W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

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