BLF6G22-180PN,112
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF6G22-180PN,112 |
| PNEDA Teilenummer | BLF6G22-180PN-112 |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BLF6G22-180PN Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF6G22-180PN,112 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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BLF6G22-180PN Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS (Dual), Common Source |
| Frequenz | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Gewinn | 17.5dB |
| Spannungstest | 32V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.6A |
| Leistung - Leistung | 50W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT539A |
| Lieferantengerätepaket | SOT539A |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 870MHz Gewinn 16.3dB Spannungstest 7.5V Nennstrom (Ampere) 8A Rauschzahl - Stromtest 300mA Leistung - Leistung 2W Spannung - Nennspannung 40V Paket / Fall PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Lieferantengerätepaket PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2.14GHz Gewinn 15.8dB Spannungstest 30V Nennstrom (Ampere) 10µA Rauschzahl - Stromtest 1.6A Leistung - Leistung 50W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall 2-Flatpack, Fin Leads Lieferantengerätepaket H-36260-2 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual) Frequenz 2.69GHz Gewinn 15.1dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 200mA Leistung - Leistung 22W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall NI-780S-4 Lieferantengerätepaket NI-780S-4 |
