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PTFA212001EV4R250XTMA1

PTFA212001EV4R250XTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer PTFA212001EV4R250XTMA1
PNEDA Teilenummer PTFA212001EV4R250XTMA1
Beschreibung FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
Hersteller Infineon Technologies
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PTFA212001EV4R250XTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFA212001EV4R250XTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PTFA212001EV4R250XTMA1, PTFA212001EV4R250XTMA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 613,27 KB)
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PTFA212001EV4R250XTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.14GHz
Gewinn15.8dB
Spannungstest30V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest1.6A
Leistung - Leistung50W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads
LieferantengerätepaketH-36260-2

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-

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550mA

Leistung - Leistung

37W

Spannung - Nennspannung

65V

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NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

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LDMOS (Dual)

Frequenz

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

15.5dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

380W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1258-7

Lieferantengerätepaket

SOT-1258-7

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

17.6dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OM-780-2L2L

Lieferantengerätepaket

OM-780-2L2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.12GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

68V

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