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BLF6G21-10G,112

BLF6G21-10G,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G21-10G,112
PNEDA Teilenummer BLF6G21-10G-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 8.220
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BLF6G21-10G Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G21-10G,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G21-10G, BLF6G21-10G Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 917,46 KB)
PDFBLF6G21-10G Datenblatt Cover
BLF6G21-10G Datenblatt Seite 2 BLF6G21-10G Datenblatt Seite 3 BLF6G21-10G Datenblatt Seite 4 BLF6G21-10G Datenblatt Seite 5 BLF6G21-10G Datenblatt Seite 6 BLF6G21-10G Datenblatt Seite 7 BLF6G21-10G Datenblatt Seite 8 BLF6G21-10G Datenblatt Seite 9 BLF6G21-10G Datenblatt Seite 10 BLF6G21-10G Datenblatt Seite 11

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BLF6G21-10G Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn18.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung700mW
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-538A
Lieferantengerätepaket2-CSMD

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1244C

Lieferantengerätepaket

CDFM6

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

22.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-272-2

Lieferantengerätepaket

TO-272-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

12.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

33W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

130MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230S-4 GW

Lieferantengerätepaket

NI-1230S-4 GULL

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

952.5MHz ~ 957.5MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

38W

Spannung - Nennspannung

104V

Paket / Fall

SOT467B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Kürzlich verkauft

PLA10AN3630R3D2B

PLA10AN3630R3D2B

Murata

COMMON MODE CHOKE 300MA 2LN TH

ESD9X5.0ST5G

ESD9X5.0ST5G

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TVS DIODE 5V 12.3V SOD923

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

MPZ2012S300AT000

MPZ2012S300AT000

TDK

FERRITE BEAD 30 OHM 0805 1LN

ASDMB-48.000MHZ-LC-T

ASDMB-48.000MHZ-LC-T

Abracon

MEMS OSC XO 48.0000MHZ LVCMOS

MMBTA42LT3G

MMBTA42LT3G

ON Semiconductor

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23

LTC3676HUJ-1#TRPBF

LTC3676HUJ-1#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

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CS325S25000000ABJT

CS325S25000000ABJT

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TPSD227K006R0100

TPSD227K006R0100

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TAJD336K035RNJ

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