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BLF3G21-6,112

BLF3G21-6,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF3G21-6,112
PNEDA Teilenummer BLF3G21-6-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A
Hersteller Ampleon
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BLF3G21-6 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF3G21-6,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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BLF3G21-6 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2GHz
Gewinn15.5dB
Spannungstest26V
Nennstrom (Ampere)2.3A
Rauschzahl-
Stromtest90mA
Leistung - Leistung6W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-538A
Lieferantengerätepaket2-CSMD

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

17.6dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

132mA

Leistung - Leistung

1.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

TO-270BA

Lieferantengerätepaket

TO-270-2 GULL

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.805GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

89W

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

NI-1230S-4S4S

Lieferantengerätepaket

NI-1230S-4S4S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

63W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

400MHz

Gewinn

30dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1dB

Stromtest

18mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

6V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

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