A2T18H450W19SR6
Nur als Referenz
| Teilenummer | A2T18H450W19SR6 |
| PNEDA Teilenummer | A2T18H450W19SR6 |
| Beschreibung | IC TRANS RF LDMOS |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.274 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 26 - Mär 31 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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A2T18H450W19SR6 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | A2T18H450W19SR6 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
A2T18H450W19SR6, A2T18H450W19SR6 Datenblatt
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A2T18H450W19SR6 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Gewinn | 16.5dB |
| Spannungstest | - |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | - |
| Leistung - Leistung | 89W |
| Spannung - Nennspannung | 30V |
| Paket / Fall | NI-1230S-4S4S |
| Lieferantengerätepaket | NI-1230S-4S4S |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp HFET Frequenz 12GHz Gewinn 13.5dB Spannungstest 2V Nennstrom (Ampere) 70mA Rauschzahl 0.3dB Stromtest 10mA Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung 4V Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket S02 |
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