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BLF10H6600PSU

BLF10H6600PSU

Nur als Referenz

Teilenummer BLF10H6600PSU
PNEDA Teilenummer BLF10H6600PSU
Beschreibung RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
Hersteller Ampleon
Stückpreis
1 ---------- $2.307,5928
50 ---------- $2.199,4244
100 ---------- $2.091,2560
200 ---------- $1.983,0876
400 ---------- $1.892,9472
500 ---------- $1.802,8069
Auf Lager 260
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLF10H6600PSU Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF10H6600PSU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF10H6600PSU, BLF10H6600PSU Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 1.512,37 KB)
PDFBLF10H6600PU Datenblatt Cover
BLF10H6600PU Datenblatt Seite 2 BLF10H6600PU Datenblatt Seite 3 BLF10H6600PU Datenblatt Seite 4 BLF10H6600PU Datenblatt Seite 5 BLF10H6600PU Datenblatt Seite 6 BLF10H6600PU Datenblatt Seite 7 BLF10H6600PU Datenblatt Seite 8 BLF10H6600PU Datenblatt Seite 9 BLF10H6600PU Datenblatt Seite 10 BLF10H6600PU Datenblatt Seite 11

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BLF10H6600PSU Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz860MHz
Gewinn20.8dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.3A
Leistung - Leistung250W
Spannung - Nennspannung110V
Paket / FallSOT539B
LieferantengerätepaketSOT539B

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

19.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

32W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-2L2LA

Lieferantengerätepaket

NI-780S-2L2LA

PD55035-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

500MHz

Gewinn

16.9dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

200MHz

Gewinn

25dB

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

20V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

CGH40006P

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

0Hz ~ 6GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

3.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

8W

Spannung - Nennspannung

84V

Paket / Fall

440109

Lieferantengerätepaket

440109

J212

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Kürzlich verkauft

NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G

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MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363

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LH1511BAB

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BC857B

BC857B

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BZT52C22-7-F

BZT52C22-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 22V 500MW SOD123

MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G

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TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

ZVP4424GTA

ZVP4424GTA

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 240V 0.48A SOT223

FIN1002M5X

FIN1002M5X

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MCP1725-3302E/MC

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WSL2512R0250FEA

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