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BLA8G1011LS-300GU

BLA8G1011LS-300GU

Nur als Referenz

Teilenummer BLA8G1011LS-300GU
PNEDA Teilenummer BLA8G1011LS-300GU
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502E
Hersteller Ampleon
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BLA8G1011LS-300GU Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLA8G1011LS-300GU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLA8G1011LS-300GU, BLA8G1011LS-300GU Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 1.201,13 KB)
PDFBLA8G1011LS-300U Datenblatt Cover
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BLA8G1011LS-300GU Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.06GHz
Gewinn16.5dB
Spannungstest32V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest150mA
Leistung - Leistung300W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502E
LieferantengerätepaketCDFM2

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

-

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.7dB

Stromtest

12mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

512MHz

Gewinn

25.4dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

TO-270BA

Lieferantengerätepaket

TO-270-2 GULL

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

47W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-860C3

Lieferantengerätepaket

NI-860C3

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.8GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

65W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

512MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

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FMR0H104ZF

KEMET

CAPACITOR 0.1F 5.5V RADIAL

74HC160N,652

74HC160N,652

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NC7WZ241K8X

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3224W-1-203E

3224W-1-203E

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LTC3882EUJ#PBF

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LTC6813ILWE-1#3ZZPBF

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