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BLA6H0912L-1000U

BLA6H0912L-1000U

Nur als Referenz

Teilenummer BLA6H0912L-1000U
PNEDA Teilenummer BLA6H0912L-1000U
Beschreibung RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A
Hersteller Ampleon
Stückpreis
1 ---------- $11.492,3511
50 ---------- $10.953,6471
100 ---------- $10.414,9432
200 ---------- $9.876,2392
400 ---------- $9.427,3193
500 ---------- $8.978,3993
Auf Lager 675
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLA6H0912L-1000U Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLA6H0912L-1000U
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLA6H0912L-1000U, BLA6H0912L-1000U Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 963,19 KB)
PDFBLA6H0912LS-1000U Datenblatt Cover
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BLA6H0912L-1000U Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz1.03GHz
Gewinn15.5dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest200mA
Leistung - Leistung1000W
Spannung - Nennspannung100V
Paket / FallSOT539A
LieferantengerätepaketSOT539A

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.5GHz ~ 2.7GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1244C

Lieferantengerätepaket

CDFM6

PTVA093002TCV1R250XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

PTF180101S V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

180mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H32259-2

Lieferantengerätepaket

H-32259-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

512MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

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EDZVT2R16B

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MC33161PG

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