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BLA6G1011L-200RG,1

BLA6G1011L-200RG,1

Nur als Referenz

Teilenummer BLA6G1011L-200RG,1
PNEDA Teilenummer BLA6G1011L-200RG-1
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D
Hersteller Ampleon
Stückpreis
1 ---------- $3.137,5213
50 ---------- $2.990,4500
100 ---------- $2.843,3787
200 ---------- $2.696,3074
400 ---------- $2.573,7479
500 ---------- $2.451,1885
Auf Lager 283
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLA6G1011L-200RG Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLA6G1011L-200RG,1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLA6G1011L-200RG, BLA6G1011L-200RG Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 955,95 KB)
PDFBLA6G1011LS-200RG Datenblatt Cover
BLA6G1011LS-200RG Datenblatt Seite 2 BLA6G1011LS-200RG Datenblatt Seite 3 BLA6G1011LS-200RG Datenblatt Seite 4 BLA6G1011LS-200RG Datenblatt Seite 5 BLA6G1011LS-200RG Datenblatt Seite 6 BLA6G1011LS-200RG Datenblatt Seite 7 BLA6G1011LS-200RG Datenblatt Seite 8 BLA6G1011LS-200RG Datenblatt Seite 9 BLA6G1011LS-200RG Datenblatt Seite 10 BLA6G1011LS-200RG Datenblatt Seite 11

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BLA6G1011L-200RG Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.03GHz ~ 1.09GHz
Gewinn20dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)49A
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung200W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502D
LieferantengerätepaketLDMOST

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

520MHz

Gewinn

11.4dB

Spannungstest

7.2V

Nennstrom (Ampere)

3A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

7W

Spannung - Nennspannung

20V

Paket / Fall

TO-271AA

Lieferantengerätepaket

PW-X

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

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Transistortyp

HEMT

Frequenz

7.9GHz ~ 9.6GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

40V

Nennstrom (Ampere)

6A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

70W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

440210

Lieferantengerätepaket

440210

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230-4H

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4H

BF245B_D75Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BLC10M6XS200Z

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

425MHz ~ 450MHz

Gewinn

19.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

4.2µA

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1270-1

Lieferantengerätepaket

SOT-1270-1

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