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BG5120KE6327HTSA1

BG5120KE6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BG5120KE6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BG5120KE6327HTSA1
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363
Hersteller Infineon Technologies
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BG5120KE6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBG5120KE6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BG5120KE6327HTSA1, BG5120KE6327HTSA1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 556,93 KB)
PDFBG5120KH6327XTSA1 Datenblatt Cover
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BG5120KE6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp2 N-Channel (Dual)
Frequenz800MHz
Gewinn23dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)20mA
Rauschzahl1.1dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung8V
Paket / Fall6-VSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketPG-SOT363-6

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

240W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT1275-3

Lieferantengerätepaket

DFM6

PD20015S-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.96GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

4W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

-

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.7dB

Stromtest

12mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

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