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BCP55-16,115

BCP55-16,115

Nur als Referenz

Teilenummer BCP55-16,115
PNEDA Teilenummer BCP55-16-115
Beschreibung TRANS NPN 60V 1A SOT-223
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 84.834
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BCP55-16 Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCP55-16,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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BCP55-16 Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 2V
Leistung - max1.35W
Frequenz - Übergang180MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketSC-73

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

32V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 10mA, 3V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

UMT3

JANTX2N2222AL

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/255

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-218

2N3506A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

Leistung - max

10W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220NIS

2N4013

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.7µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 100mA, 1V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

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