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BC857BDW1T1G

BC857BDW1T1G

Nur als Referenz

Teilenummer BC857BDW1T1G
PNEDA Teilenummer BC857BDW1T1G
Beschreibung TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 823.002
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BC857BDW1T1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC857BDW1T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
BC857BDW1T1G, BC857BDW1T1G Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 154,19 KB)
PDFSBC856BDW1T3G Datenblatt Cover
SBC856BDW1T3G Datenblatt Seite 2 SBC856BDW1T3G Datenblatt Seite 3 SBC856BDW1T3G Datenblatt Seite 4 SBC856BDW1T3G Datenblatt Seite 5 SBC856BDW1T3G Datenblatt Seite 6 SBC856BDW1T3G Datenblatt Seite 7 SBC856BDW1T3G Datenblatt Seite 8 SBC856BDW1T3G Datenblatt Seite 9

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BC857BDW1T1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Transistortyp2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
Leistung - max380mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSC-88/SC70-6/SOT-363

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

1.25W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-TSSOP

2N3810

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

FFB5551

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

160V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

2N2916

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 10µA, 5V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

60MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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