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BC856BS/DG/B3X

BC856BS/DG/B3X

Nur als Referenz

Teilenummer BC856BS/DG/B3X
PNEDA Teilenummer BC856BS-DG-B3X
Beschreibung TRANS GEN PURPOSE SC-88
Hersteller Nexperia
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BC856BS/DG/B3X Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC856BS/DG/B3X
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
BC856BS/DG/B3X, BC856BS/DG/B3X Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.099,3 KB)
PDFBC856BS/DG/B3X Datenblatt Cover
BC856BS/DG/B3X Datenblatt Seite 2 BC856BS/DG/B3X Datenblatt Seite 3 BC856BS/DG/B3X Datenblatt Seite 4 BC856BS/DG/B3X Datenblatt Seite 5 BC856BS/DG/B3X Datenblatt Seite 6 BC856BS/DG/B3X Datenblatt Seite 7 BC856BS/DG/B3X Datenblatt Seite 8 BC856BS/DG/B3X Datenblatt Seite 9 BC856BS/DG/B3X Datenblatt Seite 10 BC856BS/DG/B3X Datenblatt Seite 11

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BC856BS/DG/B3X Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Transistortyp2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Leistung - max300mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

6 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 3mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 1.5A, 4V

Leistung - max

4W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

15-SIP Formed Leads

Lieferantengerätepaket

15-SIP

PMBT3946YPN,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

300MHz, 250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

ULQ2803A

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

8 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

2.25W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

18-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

18-DIP

BC847BPDXV6T5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

NST65011MW6T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

380mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

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