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BC847BPDXV6T5G

BC847BPDXV6T5G

Nur als Referenz

Teilenummer BC847BPDXV6T5G
PNEDA Teilenummer BC847BPDXV6T5G
Beschreibung TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.304
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BC847BPDXV6T5G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC847BPDXV6T5G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
BC847BPDXV6T5G, BC847BPDXV6T5G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 110,66 KB)
PDFBC847BPDXV6T5G Datenblatt Cover
BC847BPDXV6T5G Datenblatt Seite 2 BC847BPDXV6T5G Datenblatt Seite 3 BC847BPDXV6T5G Datenblatt Seite 4 BC847BPDXV6T5G Datenblatt Seite 5 BC847BPDXV6T5G Datenblatt Seite 6

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BC847BPDXV6T5G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Leistung - max500mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V, 50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 100µA, 5V / 250 @ 100µA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

50MHz, 40MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

2N2722

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 1µA, 5V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

MBT3946DW1T1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

300MHz, 250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

ZXTD4591E6TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

Leistung - max

1.1W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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