BC846S/DG/B3X
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| Teilenummer | BC846S/DG/B3X |
| PNEDA Teilenummer | BC846S-DG-B3X |
| Beschreibung | TRANS GEN PURPOSE SC-88 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.318 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 23 - Feb 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BC846S/DG/B3X Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BC846S/DG/B3X |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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BC846S/DG/B3X Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 65V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 110 @ 2mA, 5V |
| Leistung - max | 300mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall - Lieferantengerätepaket 18-CDIP |
Hersteller Sanken Serie - Transistortyp 2 NPN Darlington (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 15mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 700 @ 1A, 1V Leistung - max 3.2W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 10-SIP Lieferantengerätepaket 10-SIP |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.9V @ 600µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 900 @ 500mA, 2V Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall - Lieferantengerätepaket 16-CDIP |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN, PNP Darlington (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.75A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.28V @ 2mA, 1.75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V Leistung - max 2.75W Frequenz - Übergang 140MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SM8 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300nA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V Leistung - max 385mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
