BC547B A1G
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| Teilenummer | BC547B A1G |
| PNEDA Teilenummer | BC547B-A1G |
| Beschreibung | TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 200A |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.682 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BC547B A1G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BC547B A1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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BC547B A1G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 45V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Leistung - max | 500mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 1A, 2V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 75MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 260V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 1A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 5A, 5V Leistung - max 200W Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-5 Lieferantengerätepaket TO-264 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN + Diode (Isolated) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 270mV @ 125mA, 4.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2A, 2V Leistung - max 3W Frequenz - Übergang 140MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-MLP/DFN (3x2) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 750 @ 2A, 3V Leistung - max 40W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket SOT-32 |
