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PN3638A_D75Z

PN3638A_D75Z

Nur als Referenz

Teilenummer PN3638A_D75Z
PNEDA Teilenummer PN3638A_D75Z
Beschreibung TRANS PNP 25V 0.8A TO-92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.624
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PN3638A_D75Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPN3638A_D75Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
PN3638A_D75Z, PN3638A_D75Z Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 297,5 KB)
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PN3638A_D75Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)800mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)25V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 30mA, 300mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)35nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 300mA, 2V
Leistung - max625mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 1A, 1V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

500MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-237AA

Lieferantengerätepaket

TO-237

2SA1774-Q-AP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

140MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

BC239CBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

380 @ 2mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MMBT6517LT3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

350V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 50mA, 10V

Leistung - max

225mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

2SA1552T-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

160V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

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