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BAT43W-G3-08

BAT43W-G3-08

Nur als Referenz

Teilenummer BAT43W-G3-08
PNEDA Teilenummer BAT43W-G3-08
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.652
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAT43W-G3-08 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAT43W-G3-08
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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BAT43W-G3-08 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Current - Average Rectified (Io)200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If450mV @ 15mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)5ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 25V
Kapazität @ Vr, F.7pF @ 1V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-123
LieferantengerätepaketSOD-123
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle125°C (Max)

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MURB1520-1

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262-3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

IDH05SG60CXKSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.3V @ 5A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

110pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-2-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SRP600K-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 6A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

P600, Axial

Lieferantengerätepaket

P600

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 125°C

JAN1N5623US

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/429

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 12V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, A

Lieferantengerätepaket

D-5A

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

LXA03T600

Power Integrations

Hersteller

Power Integrations

Serie

Qspeed™

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.1V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

20ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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