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CDBA220LL-G

CDBA220LL-G

Nur als Referenz

Teilenummer CDBA220LL-G
PNEDA Teilenummer CDBA220LL-G
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO214AC
Hersteller Comchip Technology
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Auf Lager 3.474
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CDBA220LL-G Ressourcen

Marke Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCDBA220LL-G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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CDBA220LL-G Technische Daten

HerstellerComchip Technology
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)20V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If340mV @ 2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 20V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AC, SMA
LieferantengerätepaketDO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle125°C (Max)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 50mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

fSC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

1N6622

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Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1.2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1.2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

A-PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

RM 1AV1

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Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

118pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

CST2B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

SE20AFJ-M3/6B

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1.3A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

12pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-221AC, SMA Flat Leads

Lieferantengerätepaket

DO-221AC (SlimSMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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