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BAT 64-04T E6327

BAT 64-04T E6327

Nur als Referenz

Teilenummer BAT 64-04T E6327
PNEDA Teilenummer BAT-64-04T-E6327
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SC75
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.736
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAT 64-04T E6327 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAT 64-04T E6327
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
BAT 64-04T E6327, BAT 64-04T E6327 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 491,89 KB)
PDFBAT6405WE6327HTSA1 Datenblatt Cover
BAT6405WE6327HTSA1 Datenblatt Seite 2 BAT6405WE6327HTSA1 Datenblatt Seite 3 BAT6405WE6327HTSA1 Datenblatt Seite 4 BAT6405WE6327HTSA1 Datenblatt Seite 5 BAT6405WE6327HTSA1 Datenblatt Seite 6 BAT6405WE6327HTSA1 Datenblatt Seite 7

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BAT 64-04T E6327 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Series Connection
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)120mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If750mV @ 100mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)5ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr2µA @ 30V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketPG-SC-75

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 300V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 300V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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VS-30CTQ100STRLPBF

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

860mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

550µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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GeneSiC Semiconductor

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

70A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 70A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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