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FFPF20UP30DNTU

FFPF20UP30DNTU

Nur als Referenz

Teilenummer FFPF20UP30DNTU
PNEDA Teilenummer FFPF20UP30DNTU
Beschreibung DIODE ARRAY GP 300V 10A TO220F
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 18.168
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FFPF20UP30DNTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFFPF20UP30DNTU
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
FFPF20UP30DNTU, FFPF20UP30DNTU Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 803,32 KB)
PDFFFPF20UP30DNTU Datenblatt Cover
FFPF20UP30DNTU Datenblatt Seite 2 FFPF20UP30DNTU Datenblatt Seite 3 FFPF20UP30DNTU Datenblatt Seite 4 FFPF20UP30DNTU Datenblatt Seite 5 FFPF20UP30DNTU Datenblatt Seite 6 FFPF20UP30DNTU Datenblatt Seite 7

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FFPF20UP30DNTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)300V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 10A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)45ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 300V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

70V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 150A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

8mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Twin Tower

Lieferantengerätepaket

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MSRT20060(A)D

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

70A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 70A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Screw Mount

Paket / Fall

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