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BAP51-04W,115

BAP51-04W,115

Nur als Referenz

Teilenummer BAP51-04W,115
PNEDA Teilenummer BAP51-04W-115
Beschreibung RF DIODE PIN 50V 240MW SOT323-3
Hersteller NXP
Stückpreis
1 ---------- $1,5624
250 ---------- $1,4891
500 ---------- $1,4159
1.000 ---------- $1,3427
2.500 ---------- $1,2816
5.000 ---------- $1,2206
Auf Lager 1.176
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAP51-04W Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAP51-04W,115
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterDioden - RF
Datenblatt
BAP51-04W, BAP51-04W Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 82,71 KB)
PDFBAP51-04W Datenblatt Cover
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BAP51-04W Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
DiodentypPIN - 1 Pair Series Connection
Spannung - Peak Reverse (Max)50V
Strom - max50mA
Kapazität @ Vr, F.0.35pF @ 5V, 1MHz
Widerstand @ If, F.2.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Verlustleistung (max.)240mW
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323-3

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Spannung - Peak Reverse (Max)

35V

Strom - max

100mA

Kapazität @ Vr, F.

1.25pF @ 3V, 100MHz

Widerstand @ If, F.

500mOhm @ 10mA, 200MHz

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Paket / Fall

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Diodentyp

PIN - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Strom - max

-

Kapazität @ Vr, F.

1.6pF @ 100V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

1Ohm @ 10mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paket / Fall

DO-216AA

Lieferantengerätepaket

DO-216

BA782-HG3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

PIN - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

35V

Strom - max

100mA

Kapazität @ Vr, F.

1.25pF @ 3V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

700mOhm @ 3mA, 1GHz

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Paket / Fall

SOD-123

Lieferantengerätepaket

SOD-123

JDV2S09FSTPL3

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Standard - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

10V

Strom - max

-

Kapazität @ Vr, F.

11.1pF @ 1V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

fSC

JDP2S12CR(TE85L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

PIN - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

180V

Strom - max

1A

Kapazität @ Vr, F.

1.3pF @ 40V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

700mOhm @ 10mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

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