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BA779-2-HG3-18

BA779-2-HG3-18

Nur als Referenz

Teilenummer BA779-2-HG3-18
PNEDA Teilenummer BA779-2-HG3-18
Beschreibung RF DIODE PIN 30V SOT23-3
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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BA779-2-HG3-18 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBA779-2-HG3-18
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterDioden - RF
Datenblatt
BA779-2-HG3-18, BA779-2-HG3-18 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 122,66 KB)
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BA779-2-HG3-18 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypPIN - 1 Pair Series Connection
Spannung - Peak Reverse (Max)30V
Strom - max50mA
Kapazität @ Vr, F.0.5pF @ 0V, 100MHz
Widerstand @ If, F.50Ohm @ 1.5mA, 100MHz
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur125°C (TJ)
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky - 1 Pair Series Connection

Spannung - Peak Reverse (Max)

7V

Strom - max

-

Kapazität @ Vr, F.

1pF @ 0V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

-

Verlustleistung (max.)

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

BA277,115

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

35V

Strom - max

100mA

Kapazität @ Vr, F.

1.2pF @ 6V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

-

Verlustleistung (max.)

715mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Paket / Fall

SC-79, SOD-523

Lieferantengerätepaket

SOD-523

1N5711WS-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

70V

Strom - max

15mA

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

-

Verlustleistung (max.)

150mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

SOD-323

DMF2344-000

Skyworks Solutions

Hersteller

Skyworks Solutions Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

2V (min)

Strom - max

100mA

Kapazität @ Vr, F.

0.15pF @ 0V, 10MHz

Widerstand @ If, F.

13Ohm @ 5mA, 1MHz

Verlustleistung (max.)

75mW

Betriebstemperatur

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BAT1505WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Schottky - 1 Pair Common Cathode

Spannung - Peak Reverse (Max)

4V

Strom - max

110mA

Kapazität @ Vr, F.

0.35pF @ 0V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

-

Verlustleistung (max.)

100mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

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