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BA779-2-HG3-08 Datenblatt

BA779-2-HG3-08 Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: BA779-2-HG3-08, BA779-2-HG3-18
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BA779-2-HG3-08 Datenblatt Seite 4
BA779-2-HG3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

PIN - 1 Pair Series Connection

Spannung - Peak Reverse (Max)

30V

Strom - max

50mA

Kapazität @ Vr, F.

0.5pF @ 0V, 100MHz

Widerstand @ If, F.

50Ohm @ 1.5mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

BA779-2-HG3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

PIN - 1 Pair Series Connection

Spannung - Peak Reverse (Max)

30V

Strom - max

50mA

Kapazität @ Vr, F.

0.5pF @ 0V, 100MHz

Widerstand @ If, F.

50Ohm @ 1.5mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3