AUIRS20161S
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| Teilenummer | AUIRS20161S |
| PNEDA Teilenummer | AUIRS20161S |
| Beschreibung | IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.634 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 11 - Apr 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AUIRS20161S Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AUIRS20161S |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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AUIRS20161S Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Angetriebene Konfiguration | High-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.4V ~ 6.5V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 500mA, 500mA |
| Eingabetyp | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 150V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 200ns, 200ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Logikspannung - VIL, VIH 1V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 33V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8ns, 8ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-QFN (3x3) |
