ISL6605CR
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| Teilenummer | ISL6605CR |
| PNEDA Teilenummer | ISL6605CR |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.826 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ISL6605CR Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL6605CR |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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ISL6605CR Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 1V, 2V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2A, 2A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 33V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 8ns, 8ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VQFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-QFN (3x3) |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.3V ~ 6.8V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 3.2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 35V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 17ns, 12ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-WSON (4x4) |
