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AUIRGP65G40D0

AUIRGP65G40D0

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRGP65G40D0
PNEDA Teilenummer AUIRGP65G40D0
Beschreibung IGBT 600V 62A 625W TO247
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.716
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AUIRGP65G40D0 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRGP65G40D0
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AUIRGP65G40D0, AUIRGP65G40D0 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 573,35 KB)
PDFAUIRGP65G40D0 Datenblatt Cover
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AUIRGP65G40D0 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieCooliRIGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)62A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)84A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 20A
Leistung - max625W
Schaltenergie298µJ (on), 147µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge270nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.35ns/142ns
Testbedingung400V, 20A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)41ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Leistung - max

483W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 2.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

85ns/222ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IXGH20N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

150µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/150ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

FGPF30N30TTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

44.6W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/130ns

Testbedingung

200V, 20A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

IRG4RC10K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

160µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/51ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

IRGP4063-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

144A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 48A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

625µJ (on), 1.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/145ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

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