AUIRGP65G40D0
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| Teilenummer | AUIRGP65G40D0 |
| PNEDA Teilenummer | AUIRGP65G40D0 |
| Beschreibung | IGBT 600V 62A 625W TO247 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.716 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AUIRGP65G40D0 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AUIRGP65G40D0 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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AUIRGP65G40D0 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CooliRIGBT™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 62A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 84A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 625W |
| Schaltenergie | 298µJ (on), 147µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 270nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 35ns/142ns |
| Testbedingung | 400V, 20A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 41ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A Leistung - max 179W Schaltenergie 440µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 36ns/225ns Testbedingung 400V, 20A, 16Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 300ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 10A Leistung - max 44.6W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/130ns Testbedingung 200V, 20A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A Leistung - max 240W Schaltenergie 1.1mJ (on), 3.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 167nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 54ns/146ns Testbedingung 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie 150µJ (on), 700µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/150ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 8A Leistung - max 167W Schaltenergie 160µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/140ns Testbedingung 400V, 8A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
