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ATP302-TL-H

ATP302-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer ATP302-TL-H
PNEDA Teilenummer ATP302-TL-H
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.241
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ATP302-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerATP302-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
ATP302-TL-H, ATP302-TL-H Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 355,43 KB)
PDFATP302-TL-H Datenblatt Cover
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ATP302-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.70A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5400pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)70W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketATPAK
Paket / FallATPAK (2 leads+tab)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.1nC @ 5V

Vgs (Max)

12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

57.6W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BSC027N03S G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6540pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-1

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IRFS4010-7PPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

190A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 110A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9830pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

380W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

IPP65R600C6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 210µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

XP162A11C0PR-G

Torex Semiconductor Ltd

Hersteller

Torex Semiconductor Ltd

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-89

Paket / Fall

TO-243AA

Kürzlich verkauft

PIC18F25K22-I/SO

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LPC2388FBD144,551

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TA8428K(O,S)

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OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

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Broadcom

LED GREEN CLEAR AXIAL T/H AXIAL

ADM3260ARSZ

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DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 20SSOP

DS5000FP-16

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Maxim Integrated

IC MCU 8BIT EXTRNL NVSRAM 80QFP

ZHCS1000TA

ZHCS1000TA

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DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3

74VHC14MTC

74VHC14MTC

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

IRLML9301TRPBF

IRLML9301TRPBF

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MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3

S-1313A33-A4T1U3

S-1313A33-A4T1U3

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