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AT45DB642D-TU

AT45DB642D-TU

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB642D-TU
PNEDA Teilenummer AT45DB642D-TU
Beschreibung IC FLASH 64M SPI 66MHZ 28TSOP
Hersteller Adesto Technologies
Stückpreis
1 ---------- $153,3062
50 ---------- $146,1200
100 ---------- $138,9338
200 ---------- $131,7476
400 ---------- $125,7590
500 ---------- $119,7705
Auf Lager 2.480
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AT45DB642D-TU Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB642D-TU
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB642D-TU, AT45DB642D-TU Datenblatt (Total Pages: 57, Größe: 1.555,12 KB)
PDFAT45DB642D-TU-SL383 Datenblatt Cover
AT45DB642D-TU-SL383 Datenblatt Seite 2 AT45DB642D-TU-SL383 Datenblatt Seite 3 AT45DB642D-TU-SL383 Datenblatt Seite 4 AT45DB642D-TU-SL383 Datenblatt Seite 5 AT45DB642D-TU-SL383 Datenblatt Seite 6 AT45DB642D-TU-SL383 Datenblatt Seite 7 AT45DB642D-TU-SL383 Datenblatt Seite 8 AT45DB642D-TU-SL383 Datenblatt Seite 9 AT45DB642D-TU-SL383 Datenblatt Seite 10 AT45DB642D-TU-SL383 Datenblatt Seite 11

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AT45DB642D-TU Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße64Mb (1056 Bytes x 8192 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz66MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite6ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Lieferantengerätepaket28-TSOP

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

44-SOJ

IS61LF25636B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

117MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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100-LQFP (14x20)

MT29F64G08CFACBWP-12:C

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

64Gb (8G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

83MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

CY7C1356CV25-166AXCT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

M29W256GSH70ZS6E

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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