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AT45DB041E-UUN-T

AT45DB041E-UUN-T

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB041E-UUN-T
PNEDA Teilenummer AT45DB041E-UUN-T
Beschreibung IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8WLCSP
Hersteller Adesto Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AT45DB041E-UUN-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB041E-UUN-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB041E-UUN-T, AT45DB041E-UUN-T Datenblatt (Total Pages: 70, Größe: 2.539,45 KB)
PDFAT45DB041E-UUN2B-T Datenblatt Cover
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AT45DB041E-UUN-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz85MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8µs, 3ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UFBGA, WLCSP
Lieferantengerätepaket8-WLCSP

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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Volatile

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Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (8M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

144-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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AS4C256M8D3A-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-VFBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (8x10.5)

MT29RZ8C4DZZHGPL-18 W.81U

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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