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MT47H512M8WTR-25E:C TR

MT47H512M8WTR-25E:C TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT47H512M8WTR-25E:C TR
PNEDA Teilenummer MT47H512M8WTR-25E-C-TR
Beschreibung IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT47H512M8WTR-25E:C TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT47H512M8WTR-25E:C TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT47H512M8WTR-25E:C TR, MT47H512M8WTR-25E:C TR Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 312,55 KB)
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MT47H512M8WTR-25E:C TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße4Gb (512M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit400ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall63-TFBGA
Lieferantengerätepaket63-FBGA (9x11.5)

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Micron Technology Inc.

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-TFBGA (6x8)

AT24C64CN-SH-B

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

64Gb (8G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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